삼성전자의 4세대 고대역폭메모리(HBM3) 양산과 D램 생산 라인 전환 계획

삼성전자가 엔비디아에 4세대 고대역폭메모리(HBM3)를 공급하기 위해 양산을 시작했습니다.

 

이번 결정은 AI와 GPU 산업의 발전과 더불어 메모리 반도체 시장에서의 경쟁력을 강화하기 위한 전략의 일환으로 보입니다.

 

특히 엔비디아와의 협력을 통해 HBM 시장에서의 입지를 강화하고, 부족한 범용 D램 공급을 보완하기 위한 평택 4 공장(P4)의 전환 계획이 주목받고 있습니다.

 

 

HBM3 양산과 엔비디아와의 협력

 

 

 

 

HBM3는 인공지능(AI)과 고성능 그래픽처리장치(GPU) 시장에서 필수적인 메모리반도체입니다.

 

삼성전자는 최근 엔비디아의 8단 HBM3 승인 테스트를 통과하고, 화성 17라인에서 HBM 전용 D램을 생산하기 시작했습니다.

 

이는 삼성전자가 처음으로 엔비디아에 HBM3를 공급하는 사례로, SK하이닉스와의 격차를 줄일 수 있는 중요한 기회입니다.

 

 

HBM3E 테스트와 향후 계획

 

 

삼성전자는 8단 HBM3E 승인 테스트도 진행하고 있으며, 시장조사 업체 트렌드포스 등은 삼성전자가 올해 3분기 중에 테스트를 통과할 것으로 전망하고 있습니다.

 

이를 통해 삼성전자는 HBM 시장에서 더욱 강력한 입지를 다질 것으로 보입니다.

 

또한, HBM 생산 능력을 확대하기 위해 평택과 화성 사업장에 걸쳐 주요 D램 공장을 전환하고, 천안 사업장에 추가 패키징 설비를 증설하는 방안도 고려 중입니다.

 

 

4세대 고대역폭메모리(HBM3)

 

 

평택 4 공장(P4)의 D램 전용 라인 전환

 

 

삼성전자는 HBM 라인 전환으로 인해 범용 D램 수요에 대응하기 어렵다는 우려를 해소하기 위해 평택 4 공장(P4)을 D램 전용 라인으로 구축하기로 했습니다.

 

P4는 2층 구조의 초대형 반도체 공장으로, 기존에는 1층을 낸드와 파운드리 라인으로 나눠 활용할 계획이었지만, D램 설비 전용으로 변경하였습니다.

 

평택 4공장

 

5세대 HBM3E 양산과 시장 전망

 

 

엔비디아는 AI용 GPU '블랙웰'에 HBM3E 탑재의 중요성을 강조했으며, SK하이닉스와 마이크론테크놀로지는 이미 엔비디아의 까다로운 테스트를 통과해 양산을 시작했습니다.

 

삼성전자는 HBM3 양산을 통해 기술 수준을 업그레이드하며, HBM3E 승인 테스트 통과에 대한 기대감도 높아지고 있습니다.

 

 

 

 

 

HBM 고객사 확대와 설비 증설

 

 

삼성전자는 엔비디아 외에도 HBM 고객사를 확대하고 있습니다.

 

AMD의 AI용 GPU 'MI325X'에 HBM3E를 탑재하는 계획도 있으며, 이는 삼성전자가 공급할 예정입니다.

 

HBM 수요 증가에 맞춰 화성과 평택 사업장에서 일반 D램 공정을 HBM용 D램으로 전환하는 작업이 진행 중입니다.

 

 

신규 D램 설비와 P4 구축

 

 

삼성전자는 범용 D램 수요를 충족하기 위해 신규 D램 설비를 최우선적으로 설치할 계획입니다.

 

평택 4 공장(P4) 1층에 D램 설비를 배치하고, 낸드플래시와 파운드리 설비 계획을 수정하여 D램 생산에 집중할 예정입니다.

 

 

반도체 공장

 

 

10 나노급 5세대 D램 생산 전환

 

 

삼성전자는 10 나노급 5세대(1b) D램으로의 전환 작업을 진행 중입니다.

 

화성 사업장의 15라인은 10 나노급 3세대(1z) D램 제조 설비를 5세대 제조 팹으로 전환하고 있으며, 올 4분기까지 10 나노급 5세대 D램 생산 비율이 전체의 17%에 달할 것으로 전망하고 있습니다.

 

 

수율 개선과 경쟁력 강화

 

 

삼성전자는 10 나노급 5세대 D램의 생산 수율을 높이기 위해 노력 중입니다.

 

업계에서는 삼성이 공간과 자본에서 SK하이닉스를 압도하고 있지만, 양산 기술의 고도화가 필요하다는 분석도 있습니다.

 

HBM3

 

마무리

 

 

삼성전자는 엔비디아와의 협력을 통해 HBM3 양산에 성공하며, HBM 시장에서의 입지를 강화하고 있습니다.

 

또한, 평택 4 공장의 D램 전용 라인 전환과 10 나노급 5세대 D램 생산 전환을 통해 범용 D램 수요에도 대응하고 있습니다.

 

앞으로도 삼성전자는 HBM 및 범용 D램 생산 능력을 확대하며, 메모리 반도체 시장에서의 경쟁력을 더욱 강화해 나갈 것입니다.

 

 

 

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